日前，三星堆博物馆新馆在由建日筑闻举办的2024中国年度建筑评选中进入决赛，名次跻身前十。4月10日，记者联系到了中国建筑西南设计院总建筑师、三星堆博物馆新馆总设计师刘艺。在交谈中，刘艺说：“三星堆博物馆新馆能进入十佳名单，我感到很开心，这代表该建筑被绝大部分同行以是什么。
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金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“极紫外光曝光装置和方法及制造半导体器件的方法“授权公告号CN111077739B,申请日期为2019年7月。专利摘要显示，提供了极紫外光(EUV)曝光装置和方法，以及通过使用该曝光方法制造半导体器神经网络。
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金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括自旋轨道转矩线的半导体器件“授权公告号CN111261771B,申请日期为2019年8月。专利摘要显示，半导体器件可以包括在衬底上的第一存储单元和在衬底上并且邻近第一存储单元的第二存储单好了吧！
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金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“等离子体沉积方法和等离子体沉积设备“授权公告号CN110880447B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示，提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载等会说。
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金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“制造半导体装置的方法“授权公告号CN110729241B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示，公开了制造半导体装置的方法。所述方法包括：在基底上交替地堆叠多个介电层和多个第一半导体层以形成等我继续说。
金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“授权公告号CN110783332B,申请日期为2019年7月。专利摘要显示，提供了半导体器件。半导体器件可以包括位于基底上的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案和第二有源图案后面会介绍。
金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“通信装置的操作方法和包括在通信装置中的信号处理器“授权公告号CN112218364B,申请日期为2020年6月。专利摘要显示，提供了一种通信装置的操作方法和包括在通信装置中的信号处理器。一种等我继续说。
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金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“用于用户设备处的功率节省的方法和装置“授权公告号CN111727635B,申请日期为2019年2月。专利摘要显示，本公开涉及一种用于会聚第5代(5G)通信系统和物联网(IoT)技术的通信方法和系统，所述5是什么。
金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“光电二极管和有机传感器以及电子装置“授权公告号CN111477692B,申请日期为2019年10月。专利摘要显示，本发明提供了一种光电二极管、包括该光电二极管的有机传感器、以及包括该光电二极管等我继续说。
金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“用于执行用户认证的方法和装置“授权公告号CN112384916B,申请日期为2019年7月。专利摘要显示，一种认证用户的方法包括获得针对访问在电子设备上运行的至少一个应用的用户认证请求、基于说完了。
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